Renesas Electronics America - RJK5012DPE-00#J3

KEY Part #: K6404002

[8735buc Stoc]


    Numărul piesei:
    RJK5012DPE-00#J3
    Producător:
    Renesas Electronics America
    Descriere detaliata:
    MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - TRIAC, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Module IGBT, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF and Tranzistori - Unijuncții programabile ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Renesas Electronics America RJK5012DPE-00#J3 electronic components. RJK5012DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK5012DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK5012DPE-00#J3 Atributele produsului

    Numărul piesei : RJK5012DPE-00#J3
    Producător : Renesas Electronics America
    Descriere : MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
    Serie : -
    Starea parțială : Active
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 500V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 12A (Ta)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : -
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 100W (Tc)
    Temperatura de Operare : 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 4-LDPAK
    Pachet / Caz : SC-83

    Poți fi, de asemenea, interesat
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.