ON Semiconductor - HUF75829D3S

KEY Part #: K6404021

[2155buc Stoc]


    Numărul piesei:
    HUF75829D3S
    Producător:
    ON Semiconductor
    Descriere detaliata:
    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Zener - Arrays, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - scop special, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Module IGBT, Dioduri - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in ON Semiconductor HUF75829D3S electronic components. HUF75829D3S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75829D3S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HUF75829D3S Atributele produsului

    Numărul piesei : HUF75829D3S
    Producător : ON Semiconductor
    Descriere : MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
    Serie : UltraFET™
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 150V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 18A (Tc)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 20V
    Vgs (Max) : ±20V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 110W (Tc)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-252AA
    Pachet / Caz : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63