Vishay Siliconix - SQM50N04-4M0L_GE3

KEY Part #: K6418597

SQM50N04-4M0L_GE3 Preț (USD) [69584buc Stoc]

  • 1 pcs$0.56193

Numărul piesei:
SQM50N04-4M0L_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Dioduri - Zener - Single, Dioduri - RF, Tranzistori - JFET-uri, Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - punți redresoare, Modulele Power Driver and Tiristoare - SCR - Module ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQM50N04-4M0L_GE3 electronic components. SQM50N04-4M0L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM50N04-4M0L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM50N04-4M0L_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQM50N04-4M0L_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 50A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 150W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-263 (D²Pak)
Pachet / Caz : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB