IXYS - IXTP2N80P

KEY Part #: K6419171

IXTP2N80P Preț (USD) [95429buc Stoc]

  • 1 pcs$0.45297
  • 50 pcs$0.45071

Numărul piesei:
IXTP2N80P
Producător:
IXYS
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Zener - Arrays, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - SCR-uri and Dioduri - Zener - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in IXYS IXTP2N80P electronic components. IXTP2N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N80P Atributele produsului

Numărul piesei : IXTP2N80P
Producător : IXYS
Descriere : MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Serie : PolarHV™
Starea parțială : Last Time Buy
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 2A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 70W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220AB
Pachet / Caz : TO-220-3