Infineon Technologies - IPN80R4K5P7ATMA1

KEY Part #: K6420994

IPN80R4K5P7ATMA1 Preț (USD) [315810buc Stoc]

  • 1 pcs$0.11712
  • 3,000 pcs$0.10472

Numărul piesei:
IPN80R4K5P7ATMA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - scop special, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF and Dioduri - Redresoare - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1 electronic components. IPN80R4K5P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPN80R4K5P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN80R4K5P7ATMA1 Atributele produsului

Numărul piesei : IPN80R4K5P7ATMA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Serie : CoolMOS™ P7
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 1.5A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3.5V @ 20µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 500V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 6W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PG-SOT223
Pachet / Caz : TO-261-3

Poți fi, de asemenea, interesat