Vishay Siliconix - SI2323CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6420909

SI2323CDS-T1-GE3 Preț (USD) [290392buc Stoc]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.11986

Numărul piesei:
SI2323CDS-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - punți redresoare, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Module IGBT and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI2323CDS-T1-GE3 electronic components. SI2323CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2323CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2323CDS-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI2323CDS-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : P-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 6A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1090pF @ 10V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Caz : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Poți fi, de asemenea, interesat