Vishay Siliconix - SIHFS9N60A-GE3

KEY Part #: K6393061

SIHFS9N60A-GE3 Preț (USD) [84853buc Stoc]

  • 1 pcs$0.46081

Numărul piesei:
SIHFS9N60A-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Single and Dioduri - Redresoare - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3 electronic components. SIHFS9N60A-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHFS9N60A-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFS9N60A-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SIHFS9N60A-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 9.2A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 170W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-263 (D²Pak)
Pachet / Caz : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poți fi, de asemenea, interesat