Diodes Incorporated - DMT6009LSS-13

KEY Part #: K6394107

DMT6009LSS-13 Preț (USD) [194738buc Stoc]

  • 1 pcs$0.18993
  • 2,500 pcs$0.16810

Numărul piesei:
DMT6009LSS-13
Producător:
Diodes Incorporated
Descriere detaliata:
MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - scop special, Modulele Power Driver, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LSS-13 electronic components. DMT6009LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LSS-13 Atributele produsului

Numărul piesei : DMT6009LSS-13
Producător : Diodes Incorporated
Descriere : MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 10.8A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 1.25W (Ta)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO
Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Poți fi, de asemenea, interesat
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.