Numărul piesei :
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Producător :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere :
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
8A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 10V
Distrugerea puterii (Max) :
25W (Tc)
Temperatura de Operare :
175°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
DPAK+
Pachet / Caz :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63