Numărul piesei :
IPB80N04S306ATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Starea parțială :
Not For New Designs
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
80A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4V @ 52µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
3250pF @ 25V
Distrugerea puterii (Max) :
100W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO263-3-2
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB