ON Semiconductor - FCPF850N80Z

KEY Part #: K6418760

FCPF850N80Z Preț (USD) [76415buc Stoc]

  • 1 pcs$0.51169
  • 1,000 pcs$0.45014

Numărul piesei:
FCPF850N80Z
Producător:
ON Semiconductor
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Redresoare - Arrays and Tiristoare - TRIAC ...
Avantaj competitiv:
We specialize in ON Semiconductor FCPF850N80Z electronic components. FCPF850N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF850N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF850N80Z Atributele produsului

Numărul piesei : FCPF850N80Z
Producător : ON Semiconductor
Descriere : MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
Serie : SuperFET® II
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 6A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4.5V @ 600µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1315pF @ 100V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 28.4W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220F
Pachet / Caz : TO-220-3 Full Pack

Poți fi, de asemenea, interesat