Infineon Technologies - BSO612CVGHUMA1

KEY Part #: K6525342

BSO612CVGHUMA1 Preț (USD) [210131buc Stoc]

  • 1 pcs$0.17602
  • 2,500 pcs$0.16896

Numărul piesei:
BSO612CVGHUMA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tiristoare - SCR-uri, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - FET, MOSFET - Single and Tranzistori - Unijuncții programabile ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 electronic components. BSO612CVGHUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO612CVGHUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSO612CVGHUMA1 Atributele produsului

Numărul piesei : BSO612CVGHUMA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie : SIPMOS®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N and P-Channel
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 25V
Putere - Max : 2W
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PG-DSO-8