Vishay Siliconix - SQJ204EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525239

SQJ204EP-T1_GE3 Preț (USD) [144991buc Stoc]

  • 1 pcs$0.25510

Numărul piesei:
SQJ204EP-T1_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - punți redresoare, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Modulele Power Driver, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - Module IGBT and Dioduri - Zener - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 electronic components. SQJ204EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ204EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ204EP-T1_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQJ204EP-T1_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 12V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Putere - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8 Dual
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric