Numărul piesei :
IPD50R650CEBTMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Starea parțială :
Discontinued at Digi-Key
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
500V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
6.1A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
342pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
47W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO252-3
Pachet / Caz :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63