Vishay Siliconix - SI4913DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524088

[3949buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SI4913DY-T1-GE3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - SCR - Module, Tiristoare - TRIAC, Dioduri - Redresoare - Single, Tiristoare - SCR-uri and Modulele Power Driver ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4913DY-T1-GE3 electronic components. SI4913DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4913DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4913DY-T1-GE3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SI4913DY-T1-GE3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
    Serie : TrenchFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : 2 P-Channel (Dual)
    FET Feature : Logic Level Gate
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 7.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 500µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 4.5V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Putere - Max : 1.1W
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO