Numărul piesei :
VS-GB50TP120N
Producător :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere :
IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
configurație :
Half Bridge
Tensiune - emițător colector (Max) :
1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) :
100A
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Curentul curent - colector (maxim) :
5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce :
4.29nF @ 25V
Temperatura de Operare :
150°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachet / Caz :
INT-A-PAK (3 + 4)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
INT-A-PAK