Vishay Siliconix - SMMB911DK-T1-GE3

KEY Part #: K6523960

[3991buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SMMB911DK-T1-GE3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SMMB911DK-T1-GE3 electronic components. SMMB911DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMMB911DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SMMB911DK-T1-GE3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SMMB911DK-T1-GE3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
    Serie : TrenchFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : 2 P-Channel (Dual)
    FET Feature : Standard
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 2.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 8V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 10V
    Putere - Max : 3.1W
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : PowerPAK® SC-75-6L Dual
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SC-75-6L Dual