Toshiba Semiconductor and Storage - TK31N60W,S1VF

KEY Part #: K6397691

TK31N60W,S1VF Preț (USD) [11067buc Stoc]

  • 1 pcs$4.09851
  • 30 pcs$3.35902
  • 120 pcs$3.03128
  • 510 pcs$2.53971

Numărul piesei:
TK31N60W,S1VF
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere detaliata:
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - Zener - Single, Tranzistori - scop special and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W,S1VF electronic components. TK31N60W,S1VF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31N60W,S1VF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31N60W,S1VF Atributele produsului

Numărul piesei : TK31N60W,S1VF
Producător : Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere : MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Serie : DTMOSIV
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 30.8A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET Feature : Super Junction
Distrugerea puterii (Max) : 230W (Tc)
Temperatura de Operare : 150°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-247
Pachet / Caz : TO-247-3

Poți fi, de asemenea, interesat
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.