ON Semiconductor - NVMFD5C650NLT1G

KEY Part #: K6521907

NVMFD5C650NLT1G Preț (USD) [82350buc Stoc]

  • 1 pcs$0.47481

Numărul piesei:
NVMFD5C650NLT1G
Producător:
ON Semiconductor
Descriere detaliata:
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Dioduri - punți redresoare, Dioduri - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - IGBT - Single, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased and Tranzistori - scop special ...
Avantaj competitiv:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G electronic components. NVMFD5C650NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5C650NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5C650NLT1G Atributele produsului

Numărul piesei : NVMFD5C650NLT1G
Producător : ON Semiconductor
Descriere : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Serie : Automotive, AEC-Q101
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2546pF @ 25V
Putere - Max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 8-PowerTDFN
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)