Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB150LH120N

KEY Part #: K6533217

VS-GB150LH120N Preț (USD) [765buc Stoc]

  • 1 pcs$60.67083
  • 12 pcs$57.78169

Numărul piesei:
VS-GB150LH120N
Producător:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere detaliata:
IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - SCR-uri and Dioduri - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB150LH120N electronic components. VS-GB150LH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB150LH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB150LH120N Atributele produsului

Numărul piesei : VS-GB150LH120N
Producător : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere : IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip IGBT : -
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 300A
Putere - Max : 1389W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 1.87V @ 15V, 150A (Typ)
Curentul curent - colector (maxim) : 1mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 10.6nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Double INT-A-PAK

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.