Numărul piesei :
VS-GT100TP120N
Producător :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Starea parțială :
Obsolete
configurație :
Half Bridge
Tensiune - emițător colector (Max) :
1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) :
180A
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Curentul curent - colector (maxim) :
5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Temperatura de Operare :
175°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachet / Caz :
INT-A-PAK (3 + 4)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
INT-A-PAK