Vishay Siliconix - SQJ457EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418457

SQJ457EP-T1_GE3 Preț (USD) [198900buc Stoc]

  • 1 pcs$0.18596
  • 3,000 pcs$0.15714

Numărul piesei:
SQJ457EP-T1_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - RF, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - Single and Dioduri - Redresoare - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ457EP-T1_GE3 electronic components. SQJ457EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ457EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ457EP-T1_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQJ457EP-T1_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : P-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 36A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 68W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8

Poți fi, de asemenea, interesat
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.