Vishay Siliconix - SI4456DY-T1-E3

KEY Part #: K6418712

SI4456DY-T1-E3 Preț (USD) [73957buc Stoc]

  • 1 pcs$0.52869
  • 2,500 pcs$0.44579

Numărul piesei:
SI4456DY-T1-E3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - RF, Tranzistori - scop special, Dioduri - Redresoare - Arrays, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - IGBT - Single and Dioduri - Zener - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI4456DY-T1-E3 electronic components. SI4456DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4456DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4456DY-T1-E3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI4456DY-T1-E3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 33A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 5670pF @ 20V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO
Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)