Infineon Technologies - FF200R12KT3EHOSA1

KEY Part #: K6534493

FF200R12KT3EHOSA1 Preț (USD) [883buc Stoc]

  • 1 pcs$52.58487

Numărul piesei:
FF200R12KT3EHOSA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - TRIAC, Modulele Power Driver and Tranzistori - Module IGBT ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies FF200R12KT3EHOSA1 electronic components. FF200R12KT3EHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R12KT3EHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KT3EHOSA1 Atributele produsului

Numărul piesei : FF200R12KT3EHOSA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip IGBT : -
configurație : 2 Independent
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : -
Putere - Max : 1050W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Curentul curent - colector (maxim) : 5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -40°C ~ 125°C
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : Module
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Module

Poți fi, de asemenea, interesat
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.