Infineon Technologies - FD1000R17IE4BOSA2

KEY Part #: K6533656

FD1000R17IE4BOSA2 Preț (USD) [168buc Stoc]

  • 1 pcs$273.90251

Numărul piesei:
FD1000R17IE4BOSA2
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - SCR - Module and Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies FD1000R17IE4BOSA2 electronic components. FD1000R17IE4BOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD1000R17IE4BOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R17IE4BOSA2 Atributele produsului

Numărul piesei : FD1000R17IE4BOSA2
Producător : Infineon Technologies
Descriere : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip IGBT : -
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1700V
Curent - Colector (Ic) (Max) : -
Putere - Max : 6250W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Curentul curent - colector (maxim) : 5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : Module
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Module

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.