Infineon Technologies - IRF7379QTRPBF

KEY Part #: K6524269

[3887buc Stoc]


    Numărul piesei:
    IRF7379QTRPBF
    Producător:
    Infineon Technologies
    Descriere detaliata:
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor and Tranzistori - Unijuncții programabile ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7379QTRPBF electronic components. IRF7379QTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7379QTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7379QTRPBF Atributele produsului

    Numărul piesei : IRF7379QTRPBF
    Producător : Infineon Technologies
    Descriere : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    Serie : HEXFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : N and P-Channel
    FET Feature : Logic Level Gate
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 30V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 5.8A, 4.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V
    Putere - Max : 2.5W
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO