Vishay Siliconix - SI1441EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6416213

SI1441EDH-T1-GE3 Preț (USD) [450531buc Stoc]

  • 1 pcs$0.08210
  • 3,000 pcs$0.07755

Numărul piesei:
SI1441EDH-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - scop special, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Dioduri - Redresoare - Single, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Dioduri - Zener - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI1441EDH-T1-GE3 electronic components. SI1441EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1441EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1441EDH-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI1441EDH-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : P-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 4A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 8V
Vgs (Max) : ±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-363
Pachet / Caz : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Poți fi, de asemenea, interesat