IXYS - IXFH16N80P

KEY Part #: K6395025

IXFH16N80P Preț (USD) [18247buc Stoc]

  • 1 pcs$2.49694
  • 30 pcs$2.48452

Numărul piesei:
IXFH16N80P
Producător:
IXYS
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Module IGBT, Tiristoare - TRIAC, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Tranzistori - IGBT - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in IXYS IXFH16N80P electronic components. IXFH16N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH16N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH16N80P Atributele produsului

Numărul piesei : IXFH16N80P
Producător : IXYS
Descriere : MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 16A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 460W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-247AD (IXFH)
Pachet / Caz : TO-247-3