Numărul piesei :
APTSM120AM14CD3AG
Producător :
Microsemi Corporation
Descriere :
POWER MODULE - SIC
Tipul FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3V @ 9mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
1224nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 1000V
Temperatura de Operare :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
Module