Vishay Siliconix - SI4906DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524091

[3947buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SI4906DY-T1-GE3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR - Module, Modulele Power Driver, Tiristoare - TRIAC, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - scop special, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single and Dioduri - Zener - Single ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4906DY-T1-GE3 electronic components. SI4906DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4906DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4906DY-T1-GE3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SI4906DY-T1-GE3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
    Serie : TrenchFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature : Standard
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 6.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 20V
    Putere - Max : 3.1W
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO

    Poți fi, de asemenea, interesat