Vishay Siliconix - SI1050X-T1-GE3

KEY Part #: K6418445

SI1050X-T1-GE3 Preț (USD) [498647buc Stoc]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Numărul piesei:
SI1050X-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - scop special, Modulele Power Driver, Dioduri - Zener - Single and Tiristoare - SCR - Module ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 electronic components. SI1050X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1050X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1050X-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI1050X-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 8V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 1.34A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 4V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 236mW (Ta)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SC-89-6
Pachet / Caz : SOT-563, SOT-666

Poți fi, de asemenea, interesat