Numărul piesei :
EPC2103ENGRT
Descriere :
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Tipul FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature :
GaNFET (Gallium Nitride)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
80V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (a) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 40V
Temperatura de Operare :
-
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
Die