Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31G-E3/D

KEY Part #: K6440210

EGP31G-E3/D Preț (USD) [247410buc Stoc]

  • 1 pcs$0.14950

Numărul piesei:
EGP31G-E3/D
Producător:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere detaliata:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,400V,50NS
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - IGBT - Arrays and Tranzistori - FET, MOSFET - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31G-E3/D electronic components. EGP31G-E3/D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP31G-E3/D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31G-E3/D Atributele produsului

Numărul piesei : EGP31G-E3/D
Producător : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere : DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Serie : SUPERECTIFIER®
Starea parțială : Active
Tipul diodei : Standard
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 400V
Curent - mediu rectificat (Io) : 3A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.25V @ 3A
Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 50ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 4µA @ 400V
Capacitate @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Tipul de montare : Through Hole
Pachet / Caz : DO-201AD, Axial
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DO-201AD
Temperatura de funcționare - Junction : -65°C ~ 175°C

Poți fi, de asemenea, interesat
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier