Numărul piesei :
IDB30E120ATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) :
1200V
Curent - mediu rectificat (Io) :
50A (DC)
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă :
2.15V @ 30A
Viteză :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) :
243ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr :
100µA @ 1200V
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO263-3
Temperatura de funcționare - Junction :
-55°C ~ 150°C