Numărul piesei :
SCT10N120
Producător :
STMicroelectronics
Descriere :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Tehnologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
1200V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
12A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 400V
Distrugerea puterii (Max) :
150W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipul de montare :
Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
HiP247™