Numărul piesei :
IPU80R1K4CEAKMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 800V TO251-3
Starea parțială :
Obsolete
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
3.9A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.9V @ 240µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
63W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO251-3
Pachet / Caz :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA