Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

KEY Part #: K6532650

APTGT50H60T3G Preț (USD) [1633buc Stoc]

  • 1 pcs$27.83043
  • 10 pcs$26.19128
  • 25 pcs$24.55453
  • 100 pcs$23.40865

Numărul piesei:
APTGT50H60T3G
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - DIAC, SIDAC, Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased and Tiristoare - TRIAC ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T3G electronic components. APTGT50H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T3G Atributele produsului

Numărul piesei : APTGT50H60T3G
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip IGBT : Trench Field Stop
configurație : Full Bridge Inverter
Tensiune - emițător colector (Max) : 600V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 80A
Putere - Max : 176W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Curentul curent - colector (maxim) : 250µA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de Operare : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : SP3
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SP3

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.