Infineon Technologies - IPG20N04S412ATMA1

KEY Part #: K6525337

IPG20N04S412ATMA1 Preț (USD) [202548buc Stoc]

  • 1 pcs$0.18261
  • 5,000 pcs$0.16757

Numărul piesei:
IPG20N04S412ATMA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - scop special, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - FET, MOSFET - Single and Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 electronic components. IPG20N04S412ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N04S412ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S412ATMA1 Atributele produsului

Numărul piesei : IPG20N04S412ATMA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 15µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1470pF @ 25V
Putere - Max : 41W
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 8-PowerVDFN
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PG-TDSON-8-4