IDP30E65D2XKSA1 Preț (USD) [73006buc Stoc]
- 1 pcs$0.53559
- 500 pcs$0.42961
- Numărul piesei:
- IDP30E65D2XKSA1
- Producător:
- Infineon Technologies
- Descriere detaliata:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Timpul de livrare standard al producătorului:
- In stoc
- Termen de valabilitate:
- Un an
- Chip From:
- Hong Kong
- RoHS:
- Modalitate de plată:
-
- Mod de expediere:
- Categorii de familii:
- KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - scop special, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single ...
- Avantaj competitiv:
- We specialize in Infineon Technologies IDP30E65D2XKSA1 electronic components. IDP30E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP30E65D2XKSA1 Atributele produsului
Numărul piesei :
IDP30E65D2XKSA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2
Serie :
-
Starea parțială :
Active
Tipul diodei :
Standard
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) :
650V
Curent - mediu rectificat (Io) :
60A (DC)
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă :
2.2V @ 30A
Viteză :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) :
42ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitate @ Vr, F :
-
Tipul de montare :
Through Hole
Pachet / Caz :
TO-220-2
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO220-2-1
Temperatura de funcționare - Junction :
-40°C ~ 175°C
Cele mai recente știri
Poți fi, de asemenea, interesat
-
IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
Piese calde
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18