Vishay Siliconix - SIHB28N60EF-GE3

KEY Part #: K6416301

SIHB28N60EF-GE3 Preț (USD) [13190buc Stoc]

  • 1 pcs$3.12456
  • 1,000 pcs$1.51345

Numărul piesei:
SIHB28N60EF-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Dioduri - Zener - Single, Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - Zener - Arrays, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Dioduri - punți redresoare, Dioduri - Redresoare - Arrays and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB28N60EF-GE3 electronic components. SIHB28N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB28N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB28N60EF-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SIHB28N60EF-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 28A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2714pF @ 100V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 250W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : D2PAK
Pachet / Caz : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB