Numărul piesei :
VS-GB100TH120U
Producător :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere :
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
configurație :
Half Bridge
Tensiune - emițător colector (Max) :
1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) :
200A
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic :
3.6V @ 15V, 100A
Curentul curent - colector (maxim) :
5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce :
8.45nF @ 20V
Temperatura de Operare :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachet / Caz :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
Double INT-A-PAK