Numărul piesei :
SIZF300DT-T1-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Tipul FET :
2 N-Channel (Dual)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
30V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Putere - Max :
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachet / Caz :
8-PowerWDFN
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
8-PowerPair® (6x5)