Toshiba Semiconductor and Storage - TK11A50D(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6418162

TK11A50D(STA4,Q,M) Preț (USD) [53667buc Stoc]

  • 1 pcs$0.80542
  • 50 pcs$0.80141

Numărul piesei:
TK11A50D(STA4,Q,M)
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - Zener - Arrays, Modulele Power Driver, Tranzistori - scop special, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Module IGBT and Dioduri - punți redresoare ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D(STA4,Q,M) electronic components. TK11A50D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK11A50D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK11A50D(STA4,Q,M) Atributele produsului

Numărul piesei : TK11A50D(STA4,Q,M)
Producător : Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere : MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
Serie : π-MOSVII
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 500V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 11A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 45W (Tc)
Temperatura de Operare : 150°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220SIS
Pachet / Caz : TO-220-3 Full Pack

Poți fi, de asemenea, interesat