Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

KEY Part #: K6416039

SQD19P06-60L_GE3 Preț (USD) [130121buc Stoc]

  • 1 pcs$0.69823
  • 10 pcs$0.61670
  • 100 pcs$0.48746
  • 500 pcs$0.37802
  • 1,000 pcs$0.28230

Numărul piesei:
SQD19P06-60L_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET P-CH 60V 20A TO252.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - Zener - Single, Tiristoare - TRIAC and Tranzistori - Unijuncții programabile ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3 electronic components. SQD19P06-60L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD19P06-60L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD19P06-60L_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQD19P06-60L_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : P-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 20A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 46W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-252, (D-Pak)
Pachet / Caz : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poți fi, de asemenea, interesat
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.