Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3

KEY Part #: K6523030

SQJ560EP-T1_GE3 Preț (USD) [144991buc Stoc]

  • 1 pcs$0.25510

Numărul piesei:
SQJ560EP-T1_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - scop special, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Module IGBT and Tranzistori - JFET-uri ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3 electronic components. SQJ560EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ560EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ560EP-T1_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQJ560EP-T1_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N and P-Channel
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V
Putere - Max : 34W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8 Dual
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8 Dual

Poți fi, de asemenea, interesat
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.