Vishay Siliconix - SI7448DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405996

[1472buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SI7448DP-T1-GE3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - RF, Dioduri - Zener - Arrays, Tiristoare - SCR-uri and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7448DP-T1-GE3 electronic components. SI7448DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7448DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7448DP-T1-GE3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SI7448DP-T1-GE3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
    Serie : TrenchFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 13.4A (Ta)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 22A, 4.5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 1.9W (Ta)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8
    Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8