Vishay Siliconix - SIRA24DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405279

SIRA24DP-T1-GE3 Preț (USD) [225842buc Stoc]

  • 1 pcs$0.16378
  • 3,000 pcs$0.15379

Numărul piesei:
SIRA24DP-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristoare - TRIAC, Dioduri - punți redresoare, Dioduri - Zener - Arrays, Modulele Power Driver, Tranzistori - scop special, Tranzistori - Unijuncții programabile and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA24DP-T1-GE3 electronic components. SIRA24DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA24DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA24DP-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SIRA24DP-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 25V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 60A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 10V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 62.5W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8