Numărul piesei :
IPD65R420CFDBTMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
650V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
8.7A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4.5V @ 340µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
83.3W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO252-3
Pachet / Caz :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63