Taiwan Semiconductor Corporation - HS3A M6G

KEY Part #: K6458223

HS3A M6G Preț (USD) [973167buc Stoc]

  • 1 pcs$0.03801

Numărul piesei:
HS3A M6G
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descriere detaliata:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Dioduri - Zener - Single, Tranzistori - JFET-uri, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor and Dioduri - Redresoare - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3A M6G electronic components. HS3A M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3A M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS3A M6G Atributele produsului

Numărul piesei : HS3A M6G
Producător : Taiwan Semiconductor Corporation
Descriere : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Serie : -
Starea parțială : Not For New Designs
Tipul diodei : Standard
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 50V
Curent - mediu rectificat (Io) : 3A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1V @ 3A
Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 50ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitate @ Vr, F : 80pF @ 4V, 1MHz
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : DO-214AB, SMC
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcționare - Junction : -55°C ~ 150°C

Poți fi, de asemenea, interesat
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in