Vishay Siliconix - SI3460BDV-T1-E3

KEY Part #: K6418866

SI3460BDV-T1-E3 Preț (USD) [239890buc Stoc]

  • 1 pcs$0.15419
  • 3,000 pcs$0.13563

Numărul piesei:
SI3460BDV-T1-E3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Redresoare - Single, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - IGBT - Single, Modulele Power Driver, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Dioduri - Zener - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 electronic components. SI3460BDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3460BDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460BDV-T1-E3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI3460BDV-T1-E3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 20V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 8A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 10V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 6-TSOP
Pachet / Caz : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6